Das SEM_FIB_TOF-SIMS Tool erlaubt alle hergestellten Schichten und Strukturen hinsichtlich ihrer Abmessungen und chemischer Zusammensetzung umfassend zu charakterisieren. Die Methoden Scanning Electron Microscopy (SEM) und Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM ) ermöglichen laterale Auflösungen bis unter 1 nm, so dass selbst die kleinsten Strukturen abgebildet werden können. Die im Gerät vorhand...

Das SEM_FIB_TOF-SIMS Tool erlaubt alle hergestellten Schichten und Strukturen hinsichtlich ihrer Abmessungen und chemischer Zusammensetzung umfassend zu charakterisieren. Die Methoden Scanning Electron Microscopy (SEM) und Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM ) ermöglichen laterale Auflösungen bis unter 1 nm, so dass selbst die kleinsten Strukturen abgebildet werden können. Die im Gerät vorhandene Focused Ion Beam (FIB)-Technik wird für die Querschnittspräparation eingesetzt, so dass eine 3-dimensionale Strukturabbildung ermöglich wird und Lamellen für STEM präpariert werden können. Die chemische Zusammensetzung der Schichten und Strukturen kann mit den ebenfalls vorhandenen Methoden Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy (EDX) und (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy (TOF-SIMS) bestimmt werden. EDX und TOF-SIMS ergänzen sich hervorragend bei der Analytik, wobei EDX vorrangig für die quantitative chemische Analyse gebraucht wird und TOF-SIMS den Nachweis von chemischen Verbindungen bis hin zu äußerst geringen Konzentrationen erlaubt. Das SEM_FIB_TOF-SIMS Tool kann so auch zur Partikel- und physikalischen Fehleranalyse an fertig prozessierten Schichtsystemen und Strukturen eingesetzt werden

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