Lieferung, Aufstellung und Inbetriebnahme eines ElektronenstrahllithografiesystemsLieferung beinhaltet hier die Übergabe eines Werksabnahmeprotokolls, in dem die zugesichertenLeistungsparameter (B-Kriterien) dokumentiert werden.Nachweis der Erbringung der vollständigen Leistung durch eine Endabnahmeprotokoll, in dem die imWerksabnahmeprotokoll spezifizierten Parameter wiederholt werden.Allgemeine AnforderungenDas Gerät ist ...

Lieferung, Aufstellung und Inbetriebnahme eines ElektronenstrahllithografiesystemsLieferung beinhaltet hier die Übergabe eines Werksabnahmeprotokolls, in dem die zugesichertenLeistungsparameter (B-Kriterien) dokumentiert werden.Nachweis der Erbringung der vollständigen Leistung durch eine Endabnahmeprotokoll, in dem die imWerksabnahmeprotokoll spezifizierten Parameter wiederholt werden.Allgemeine AnforderungenDas Gerät ist als Komplettsystem von einer Firma mit der erforderlichen Software zu liefern und zu installieren, einschließlich Inbetriebnahme und Einweisung.Die Funktionalität des errichteten Gerätesystems einschließlich der systemspezifischen Software muss vomAuftragnehmer gewährleistet werden.Der Service und die Gewährleistung für alle gelieferten Komponenten sind vom Auftragnehmer auszuführen bzw. zu organisieren.Anbieter sollte mindestens 20 Turnkeysysteme mit Interferometertisch ausgeliefert und erfolgreich installiert haben. Mindestens 5 Referenzkunden müssen in Europa verfügbar und ansprechbar sein für die Einholung eines Referenzstatements.Lieferumfang: Alles notwendige Zubehör. Der Auftraggeber stellt nur die elektrischen Anschlüsse zur Verfügung. Die Installation requirements sind zusammen mit dem Angebot separat einzureichen.Technische Beschreibung der Komponenten und Leistungsparameter (Spezifikation): Elektronenoptik:— Thermischer Feldemitter mit hoher Strahlstromstabilität— Beschleunigungsspannungen Minimalwert 50 V oder kleiner, Maximalwert 30 kV oder größer— Probe muss sich im magnetfeldfreien Raum befinden— Detektorausstattung: Sekundärelektronendetektor und zusätzlich In-Lens Detektor— Das Gerät muss über einen schnellen elektrostatischen Beamblanker verfügen— Spotgröße < 2nm bei 20 kV, < 5 nm bei 1 kV— Strahlstrommessung integriert— Minimale Schreibfeldgröße < 10 micrometer— Maximale Schreibfeldgröße > 1 mmProbenbühne:— Interferometergesteuerte Probenbühne mit einer Positionsmessgenauigkeit von 2 nm unabhängig vonArbeitsabstand und Schreibfeldgröße— Verfahrweg in x- und y- Richtung mindestens 45x45 mm— Verfahrweg in z-Richtung mindestens 20 mm (bei gleichzeitiger Interferometerkontrolle für x- und y-Richtung.— Probenrotation 0-360° möglich— Probenverkippung 0-90° möglich— Kompuzentrischer Modus möglich— Kontrolle über Joystick mit mindestens 10 nm GenauigkeitWeitere Angaben:— Ölfreies Pumpensystem für das Kammervakuum— Infrarotkamera mit Optik für visuellen Zugang bei geschlossener KammerPatterngenerator:— Der Patterngenerator muss eine Schreibfrequenz von mindestens 10 MHz erlauben— Die Schreibfrequenz muss variabel sein (minimum < =1000 Hz, Maximum >= 10 MHz) Lithographie Specs:Angabe der genauen Prozedur zur Messung der LithographiespezifikationenPC-Ausstattung:— Kontroll-Computer inkl. TFT-Bildschirm zur Steuerung— Software zur Steuerung und Auswertung für das Gesamtsystem— Die Software muss über einen graphischen Editor für GDSII Dateien verfügen.— Komplette Steuerung über graphisches User-Interface möglich— Scripting und Macros möglich— Probeninspektion im Mikroskop Modus möglich.

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